Похоже, что на рынке накопителей уже в скором времени может произойти очередная технологическая революция. По крайней мере, так характеризуют потенциал технологии, позволившей специалистам Intel и Micron создать новый тип памяти на базе архитектуры 3D Xpoint. Технология 3D Xpoint — первое принципиально новое решение в области создания памяти с момента появления NAND Flash, созданной в 80-х годах XX века. Память 3D Xpoint была создана, по словам вице-президента Micron, ответственного за научно-исследовательскую и опытно-конструкторскую деятельность компании, чтобы стать дополнением к существующим сегодня архитектурам NAND и DRAM. При этом 3D Xpoint сочетает в себе преимущества обоих типов памяти.

По имеющимся сведениям, быстродействие накопителей 3D Xpoint, если сравнивать их с флеш-памятью на основе ячеек NAND, превзойдёт последнюю по этому показателю не просто в десять или сто раз, а, как утверждает пресс-релиз Micron, тысячекратно. Вдобавок, 3D XPoint обойдёт NAND и по надёжности — параметр долговечности 3D Xpoint также в 1000 раз превысит значение, характерное для NAND.
Хотя 3D Xpoint окажется значительно быстрее NAND, она будет серьёзно уступать в производительности обычной DRAM: отставание по скорости будет находиться в пределах математического порядка, однако превосходит её по плотности хранения данных в 8–10 раз. Архитектура 3D Xpoint позволяет не только создавать надёжную энергонезависимую память, но и устанавливать множество «слоёв» такой памяти в одной микросхеме, что даст возможность увеличивать ёмкость чипов памяти, снижая их стоимость.

Представленное решение, разработка которого велась с 2012 года, поспособствует значительному увеличению производительности практически для всех типов компьютерных устройств: от игровых ПК до мощных серверов и суперкомпьютеров. Так, согласно заверениям Intel, архитектура 3D Xpoint позволит банковским структурам и финансовым организациям оперативнее выявлять схемы финансового мошенничества; повысит эффективность ПО, ориентированного на распознавание образов в режиме реального времени и анализ генетической информации. Кроме того, память 3D Xpoint откроет доступ геймерам к игровому контенту в сверхвысоких разрешениях, таких как 8K.

Себестоимость изготовления микросхем 3D Xpoint из расчёта на один бит окажется где-то между стоимостью памяти NAND и DRAM, что довольно высоко. Первые микросхемы 3D Xpoint, показанные Intel и Micron, имеют ёмкость 128 Гбит. Один чип MLC NAND подобной ёмкости стоит на спотовом рынке примерно $7,5. Для сравнения, одна микросхема DDR3 DRAM ёмкостью 4 Гбит обходится в $2,3, т.е. в 10 раз больше в пересчёте на гигабит. Таким образом, 3D Xpoint может быть в пять раз дороже обычной NAND флеш-памяти, что сделает устройства на её основе весьма дорогими.
Производство новых микросхем памяти типа 3D Xpoint должно стартовать уже в следующем году в производственном комплексе IM Flash Technologies, совместного предприятия Intel и Micron, в городе Лехай, штат Юта (Lehi, Utah). Данная фабрика способна начинать обработку 20 тысяч 300-мм подложек с микросхемами в неделю, однако она используется также для производства NAND флеш-памяти и 3D NAND флеш-памяти, что означает следующее: объёмы 3D Xpoint в 2016 году вряд ли можно будет назвать существенными.

Обе компании планируют представить коммерческие продукты на базе 3D Xpoint памяти в следующем году, однако пока не известно, что это будут за изделия. Что касается точных цен продукции в сравнении с аналогичными устройствами, применяемыми сегодня, то представители Intel-Micron решили пока воздержаться от её озвучивания. Стоит отметить, что 3D Xpoint является проприетарной памятью, поэтому открывать её для сторонних производителей — предоставлять лицензирование технологии конкурентам «по цеху» — не планируется. Вследствие этого доступность памяти 3D Xpoint окажется не слишком широкой.скачать dle 12.1

Дата публикации:   31-07-2015