Анонс чипа Snapdragon 820: король умер, да здравствует король!
Qualcomm, задающая моду в сегменте мобильных процессоров и выпускающая эталонную продукцию, которая задаёт планку для конкурентов и является образцом передовых технологий, впервые поделилась сведениями о сверхпроизводительной SoC-системе для мобильных устройств — чипе Snapdragon 820 — ещё несколько месяцев назад. Однако информация о технических особенностях готовящейся к покорению рынка новинки оказалась не совсем целостной, вследствие чего ряд деталей о преемнике нынешнего флагмана Snapdragon 810 оставался неизвестным или неподтверждённым до сегодняшнего дня.
Буквально пару часов назад Qualcomm официально представила своё топовое на данный момент решение, озвучив для мировой общественности все параметры Snapdragon 820. Новый чип изготавливается по 14-нм технологическому процессу FinFET, а в его основе лежат четыре 64-битных ядра с тактовой частотой 2,2 ГГц, выполненных на базе собственной вычислительной архитектуры Kryo.
Роль графического ускорителя здесь отведена контроллеру Adreno 530, который может похвастаться поддержкой OpenGL ES 3.1+AEP, OpenCL 2.0 и Api Vulkan. В качестве цифрового сигнального процессора и сопроцессора обработки изображений, в задачи которых входит снижение основной нагрузки с центрального процессора, разработчики Snapdragon 820 использовали модели Hexagon 680 DSP и Spectra ISP соответственно. Среди возможностей последнего значится поддержка камер с разрешающей способностью до 28 Мп.
Для Qualcomm уже стало традицией реализация такой приятной опции для владельцев современных смартфонов, не отличающихся длительностью автономной работы, как быстрая зарядка. Технология Quick Charge версии 3.0 в Snapdragon 820 позволит восполнить индикатор заряда батареи в несколько раз быстрее, чем того потребует стандартная процедура зарядки, а также превзойдёт по скорости Quick Charge 1.0 почти в два раза и окажется на 27 % быстрее Quick Charge 2.0.
Что касается остальных нюансов Snapdragon 820, то в спецификации к чипу можно обнаружить упоминания о нативной поддержке:
скоростных сотовых сетей LTE Cat 12 и LTE Cat 13 за счёт модема X12 LTE, благодаря которому скорость скачивания может достигать 600 Мбит/с, а загрузки — 150 Мбит/с;
матриц с разрешением 3840 × 2160 пикселей;
воспроизведения 4К-видео в формате H.265 с частотой 60 кадр/с;
аппаратных решений VIVE 802.11ac и 2×2 MU-MIMO;
двухканальной оперативной памяти LPDDR4 с частотой 1866 МГц;
флеш-памяти eMMC 5.1 и UFS 2.0;
стандарта USB 3.0.
Как уверили представители Qualcomm, некогда изрядно подмочивший репутацию процессору Snapdragon 810 вопрос перегрева для SoC-системы Snapdragon 820 будет изначально неактуальным. Появление топовых смартфонов с данным чипом «на борту» стоит ожидать уже в I квартале 2016 года. По прогнозам, только в следующем году в качестве «сердца» как минимум трёх-четырёх десятков мобильных устройств различных брендов будет задействован именно Snapdragon 820.
Буквально пару часов назад Qualcomm официально представила своё топовое на данный момент решение, озвучив для мировой общественности все параметры Snapdragon 820. Новый чип изготавливается по 14-нм технологическому процессу FinFET, а в его основе лежат четыре 64-битных ядра с тактовой частотой 2,2 ГГц, выполненных на базе собственной вычислительной архитектуры Kryo.
Роль графического ускорителя здесь отведена контроллеру Adreno 530, который может похвастаться поддержкой OpenGL ES 3.1+AEP, OpenCL 2.0 и Api Vulkan. В качестве цифрового сигнального процессора и сопроцессора обработки изображений, в задачи которых входит снижение основной нагрузки с центрального процессора, разработчики Snapdragon 820 использовали модели Hexagon 680 DSP и Spectra ISP соответственно. Среди возможностей последнего значится поддержка камер с разрешающей способностью до 28 Мп.
Для Qualcomm уже стало традицией реализация такой приятной опции для владельцев современных смартфонов, не отличающихся длительностью автономной работы, как быстрая зарядка. Технология Quick Charge версии 3.0 в Snapdragon 820 позволит восполнить индикатор заряда батареи в несколько раз быстрее, чем того потребует стандартная процедура зарядки, а также превзойдёт по скорости Quick Charge 1.0 почти в два раза и окажется на 27 % быстрее Quick Charge 2.0.
Что касается остальных нюансов Snapdragon 820, то в спецификации к чипу можно обнаружить упоминания о нативной поддержке:
скоростных сотовых сетей LTE Cat 12 и LTE Cat 13 за счёт модема X12 LTE, благодаря которому скорость скачивания может достигать 600 Мбит/с, а загрузки — 150 Мбит/с;
матриц с разрешением 3840 × 2160 пикселей;
воспроизведения 4К-видео в формате H.265 с частотой 60 кадр/с;
аппаратных решений VIVE 802.11ac и 2×2 MU-MIMO;
двухканальной оперативной памяти LPDDR4 с частотой 1866 МГц;
флеш-памяти eMMC 5.1 и UFS 2.0;
стандарта USB 3.0.
Как уверили представители Qualcomm, некогда изрядно подмочивший репутацию процессору Snapdragon 810 вопрос перегрева для SoC-системы Snapdragon 820 будет изначально неактуальным. Появление топовых смартфонов с данным чипом «на борту» стоит ожидать уже в I квартале 2016 года. По прогнозам, только в следующем году в качестве «сердца» как минимум трёх-четырёх десятков мобильных устройств различных брендов будет задействован именно Snapdragon 820.
Дата публикации: 12-11-2015