Низкий спрос на персональные компьютеры и электронику в последние месяцы продолжил давление на цены динамической оперативной памяти с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM). Вследствие того, что индустрия продолжает переход на технологический процесс 20/21 нм, тем самым увеличивая выпуск памяти, цены на DRAM серьёзно упали этой осенью.

Средняя стоимость одной микросхемы памяти DDR4 ёмкостью 4 Гбит и с тактовой частотой 2133 МГц на наличном (спотовом) рынке на Тайване составляла $2,249 в момент написания заметки по данным DRAMeXchange, ведущего мирового наблюдателя за рынками памяти DRAM и NAND. В конце сентября стоимость подобной интегральной схемы составляла $2,179, а в конце июня — $3,618. Таким образом, цена одного 4-Гбит чипа DDR4 на спотовом рынке упала на 17,3 % с конца сентября и на 31,9 % с конца июня.

Цены на память DDR3 также стремительно падают. На момент написания заметки одна микросхема DDR3 ёмкостью 4 Гбит с тактовой частотой 1600 МГц стоила в среднем $1,926 на спотовом рынке на Тайване. В конце сентября подобный чип стоил $2,172, а в конце июня — $2,658. Следовательно, спотовая цена 4-Гбит чипа DDR3 чипа снизилась на 11,3 % с конца сентября и на 27,6 % c конца июня.

Примечательно, что благодаря слабому спросу на ПК и электронику, растущей конкуренции на рынке DRAM и распространению вычислительной платформы Intel Skylake (которая использует преимущественно DDR4) разница в стоимости памяти типов DDR3 и DDR4 стремительно сокращается. Сегодня разница в цене 4-Гбит чипа DDR3 и 4-Гбит чипа DDR4 составляет 16,7 %. В середине этого года разница составляла 26,5 %.

Поскольку стоимость микросхем оперативной памяти имеет непосредственное влияние на стоимость модулей с некоторой задержкой, следует ожидать, что через некоторое время разница в цене модулей DDR3 и DDR4 существенно сократится, а последняя станет более доступной.

Согласно данным DRAMeXchange, выручка всех производителей DRAM за оперативную память составила $11,298 млрд в третьем квартале, упав на 1,2 % по сравнению с предыдущим. Это произошло главным образом по причине падения цен на память вследствие слабого спроса на фоне увеличения производимых объёмов памяти.

Как уже сообщалось, все производители DRAM активно переводят производство памяти на технологический процесс 20 нм (21 нм в случае с SK Hynix), чтобы снизить её себестоимость. При переходах к более тонким нормам производства увеличиваются объёмы изготовления памяти в пересчёте на бит. При увеличении предложения при низком спросе цена на рынке неизбежно падает, что и наблюдается сегодня на рынке DRAM.


Тенденция снижения цен на оперативную память продолжится в будущем, считают аналитики из DRAMeXchange. Тем не менее, у производителей есть шанс сохранить выручку и уровень прибыли благодаря выпуску более дорогой DRAM для серверов и мобильных устройств.

«Доля DRAM для мобильных устройств увеличится в общем объёме производства DRAM в соответствии с ростом продаж смартфонов в четвёртом квартале», — сказал Аврил Ву (Avril Wu), ассистирующий вице-президент DRAMeXchange. «Тем не менее, рынок будет зависеть от негативных сезонных встречных ветров в последующий период. Производители увеличат объём выпуска памяти (в пересчёте на бит) при переходе на 20–21-нм технологические процессы. Таким образом, проблема переизбытка будет ухудшаться, а цены на DRAM будут продолжать снижение в ближайшем будущем».скачать dle 12.1

Дата публикации:   03-12-2015